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10.3788/fgxb20143508.0939

生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响

引用
利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备立方结构Mg,ZnO薄膜,并研究MgZnO薄膜结晶特性、光学带隙随生长温度的变化情况.当生长温度从150℃升高到700 ℃时,MgZnO薄膜的生长取向由(200)向(111)转变.在600℃以下,MgZnO薄膜光学带隙的变化规律与品格中Mg和Zn原子比例的变化趋势是一致的;而当温度升至700℃时,虽然MgZnO品格中Mg和Zn原子比例降低,但由于平均晶粒尺寸变大,薄膜的光学带隙反而上升.在300℃和700℃品格匹配的情况下,获得了单一(200)和(111)取向的立方MgZnO薄膜.

MgZnO、脉冲激光沉积、光学带隙、生长温度

35

O484.1(固体物理学)

国家自然科学基金60976036,51371120,51302174;深圳市特种功能材料重点实验室开放基金T201205

2014-09-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

939-944

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1000-7032

22-1116/O4

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