Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积方法生长了立方相Mg0.56Zn0.44O∶Ga薄膜,Ga在MgZnO中的摩尔分数为2.8％ ～4.5％.低掺杂水平的MgZnO可以保持其良好的结晶特性.随着Ga元素的摩尔分数升高至3.1％、3.3％与4.5％,立方相MgZnO中分别出现了Ga2O3、ZnO与ZnGa2O4分相.其中,Ga2O3与ZnGa2O4相的出现是由于Ga的掺杂使这两相在MgZnO基质中饱和析出,而ZnO分相被归因于Ga的引入部分破坏了立方MgZnO的亚稳态结构状态,使组分原本就处于分相区的立方MgZnO出现相分离.

关键词：立方相MgZnO、Ga掺杂、晶体结构、相分离

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分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金21100146,61376054;国家“973计划”2011CB302006

在线出版日期：2014-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：922-925