PbS纳米晶修饰的ZnO/PVP复合电双稳器件阻变机制
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al 夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比,PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线和能级结构分析了PbS 纳米晶修饰层对器件阻变和载流子传输的影响。结果显示,PbS纳米晶层的加入不仅优化了器件能级结构,有利于载流子的俘获和释放,还修饰了ZnO纳米晶的表面缺陷,降低了器件载流子的复合损耗。
电双稳器件、ZnO纳米晶、阻变机制、PbS纳米晶修饰层
O472+.4;O469(半导体物理学)
国家自然科学基金10904109,60977035,60907021;天津市自然科学基金10SYSYJC28100,11JCYBJC00300,14JCZDJC31200;国家高技术研究发展计划2013AA014201
2014-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
846-852
