AlGaInP-LED微阵列单元的热效应分析

摘要：

对AlGaInP-LED微型阵列发光单元的内部自发热机制进行了分析,并通过对具有回型上电极的发光单元的理论分析与计算,得到了其内量子效率与注入电流的变化关系及器件温度与所加偏压的变化关系。为保证内量子效率取值范围大于85%,得到了器件的最佳工作电流和最佳驱动电压范围以及微阵列各层结构在最佳驱动电压下的热阻分布。通过计算得出器件在2.2 V电压下,从p-n结到外部环境的有效热阻为96.7益/W。讨论了减小器件热阻的方法,计算得出在理想情况下,添加热沉结构后有效热阻降为30.6益/W,表明所设计的热沉结构对器件的散热起到了明显的改善作用。

关键词：AlGaInP、回型电极、微型阵列、热效应、热沉结构

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61274122;吉林省科技发展项目20100351,20120323;长春市科技发展计划12ZX21

在线出版日期：2014-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：840-845