AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

摘要：

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的Alx Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管( HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12 s(1 nm左右)时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1500 cm2·V-1·s-1,二维电子气(2DEG)浓度为1.16伊1013 cm-2。 AFM测试结果表明,一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。 HRXRD测试结果表明,AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。

关键词：AlN厚度、PALE、MOCVD、HEMT、电学性能

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61204011,11204009,61107026,61006084;国家自然科学基金重点基金U103760;北京市自然科学基金4142005

在线出版日期：2014-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：830-834