N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响

摘要：

利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜.研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响.结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加,薄膜中Mg含量增加,薄膜表面颗粒尺寸减小,结晶质量变差,电阻率逐渐增大,导电类型发生转变.在氮流量比为20％时,获得了最好的p型导电薄膜.另外,随着氮流量比的增加,拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强,表明N0的浓度随着氮流量比的加大而有所增加.

关键词：射频磁控溅射技术、N掺杂MgZnO薄膜、氮流量比、光电性能

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分类号：O484.4;O472(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11274135;吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目2013189

在线出版日期：2014-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：689-694