ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率
使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题.本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率.输入电流为20mA时,ITO层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后,芯片输出光功率提升11.4％,但正向电压升高0.178 v;微结构优化设计后,芯片输出光功率提升8.2％,正向电压仅升高0.044 V.小电流注入时,密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率.大电流注入时,这种结构将导致电流拥挤,芯片的电光转化效率衰减严重.经过优化设计后的微结构阵列器件,具有较高的电注入效率,因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢,因此更适合大电流下工作.
LED、ITO、表面粗化、出光效率
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TN304.2+3(半导体技术)
国家高技术研究发展计划8632014AA032609;广东省战略性新兴产业发展专项资金2010A081002009,2011A081301004,2012A080302003;中央高校基本科研业务费专项资金2013ZM093,2013ZP0017
2014-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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