单根ZnO纳米线低温条件下的电子输运及光敏性质

摘要：

用化学气相沉积的方法合成了ZnO纳米线,采用微栅模板法制得电极从而获得欧姆接触的单根ZnO纳米线半导体器件.通过研究60～300 K范围内的电阻变化情况,发现在整个温度区间内存在热激活和近程跳跃两种传输机制.在300,200,100K的条件下分别测试了器件的紫外光响应和恢复情况,结果表明:低温下器件对紫外光的敏感性提高,电流的恢复时间随着温度的降低而延长.

关键词：ZnO纳米线、低温、传输机制、紫外光敏

所属期刊栏目：35

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：黑龙江省自然科学基金A201304;黑龙江省教育厅科学技术重点研究项目12521z012;黑龙江省研究生创新科研项目2013

在线出版日期：2014-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：600-603