GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究
针对GaN基LED空穴注入效率低的问题,在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层(LT-HIL),实验研究了MOCVD生长LT-HIL时二茂镁(Cp2Mg)流量和生长温度的影响.结果表明:随着Cp2Mg流量的增加,外延薄膜晶体质量下降,外延片表面平整度和均匀性降低；而受Mg掺杂时补偿效应的影响,主波长先红移后蓝移,芯片的输出光功率先升高后降低,正向电压先降低后升高.相比于无LT-HIL的样品,在20mA工作电流下,Cp2 Mg流量为1.94μmol/min时制备的芯片的输出光功率提升20.3％,而正向电压降低0.1V.在Cp2 Mg流量较大时,LT-HIL的渐变式生长温度对外延质量有所改善,但不是主要影响因素.
LED、MOCVD、低温空穴注入层、二茂镁、温度
35
TN303;TN304(半导体技术)
国家高技术研究发展计划8632014AA032609;广东省战略性新兴产业发展专项资金2010A081002009,2011A081301004,2012A080302003;中央高校基本科研业务费专项资金2013ZM093,2013ZP0017
2014-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
595-599
