氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究

摘要：

采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究.结果表明:所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右.在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合,中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光.

关键词：GaN纳米粒子、直接氮化法、光致发光

所属期刊栏目：35

分类号：O471.4;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11004138;辽宁省优秀人才支持计划LJQ2011020

在线出版日期：2014-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：585-588