氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究
采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究.结果表明:所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右.在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合,中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光.
GaN纳米粒子、直接氮化法、光致发光
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O471.4;O482.31(半导体物理学)
国家自然科学基金11004138;辽宁省优秀人才支持计划LJQ2011020
2014-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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