单层与双层WSe2纳米片层的光致发光

摘要：

采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究.结果表明:随着WSe2层数的增加,其光致发光强度单调下降；当WSe2层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙.进一步研究了双层WSe2的变温光致发光谱,发现随着温度的升高,双层WSe2发光峰中A峰峰位的变化基本符合半导体带隙的温度变化规律,而I峰峰位红移与温度基本成线性关系,表明双层WSe2同时存在间接和直接跃迁,且直接跃迁和间接跃迁特性不同.

关键词：二维纳米片层结构、WSe2、光致发光谱、光谱红移

所属期刊栏目：35

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11074056,11374070,11104042;国家重点基础研究发展计划2011CB932800

在线出版日期：2014-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：513-518