通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性

摘要：

使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品.在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导.为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾.光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制.通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结品质量也有所提高.样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到1016cm-3.周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法.

关键词：氧化锌、p型掺杂、间歇性补氧

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分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家“973”计划2011CB302002,2011CB302005;国家自然科学基金10974197,11104265

在线出版日期：2014-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：399-403