利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率

摘要：

通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm并五苯掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯4,4'-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性.研究发现:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯4,4'-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02) cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6 ±1.3)V降至(-30.1±1.2)V.

关键词：有机薄膜晶体管、表面形貌、迁移率、TPD

所属期刊栏目：35

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研发项目2010CB327701;国家自然科学基金61275033

在线出版日期：2014-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：349-353