自支撑Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列及其光学性质
利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列.通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温光致发光谱(PL)等一系列表征手段对所制备的自支撑Ag掺杂ZnO纳米线阵列进行了研究.研究结果显示:这种自支撑纳米材料具有良好的晶体质量和光学性质,在低温(85 K)下显示出A0X和FA为主导的受主相关发射峰,通过理论公式计算受主结合能为118 meV.在变温光致发光光谱中,FA发射峰位随温度的变化符合理论模型.
水浴法、自支撑、Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列、光学性质
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O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金61006065,61076039,61204065,61205193,10804071;高等学校博士学科点专项科研基金20102216110001,20102216120002,20112216120005;吉林省自然科学基金20101546;吉林省科技发展计划20121816,201201116;吉林省教育厅项目2011JYT05,2011JYT10,2011JYT11;高功率半导体激光国家重点实验室基金9140C310101120C031115
2014-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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