超薄EuF3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升

摘要：

采用EuF3薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极,制备了CuPc有机场效应晶体管,研究了不同厚度EuF3对器件性能的影响.结果表明,EuF3的厚度由0 nm增至0.6 nm时,接触电阻由23.65×105Ω· cm减至3.86×105 Ω·cm,使得器件载流子迁移率由1.5×10-3 cm2·V-1·s-1提高到4.65×10-3 cm2·V-1·s-1.UPS测试结果表明,薄层EuF3在Ag与有机半导体间形成了界面偶极势垒,使源漏电极表面功函数增大,空穴注入势垒降低,Ag电极与有机半导体层界面的接触电阻减小,进而提升了空穴的注入效率.

关键词：场效应晶体管、EuF3、修饰层

所属期刊栏目：35

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61106057

在线出版日期：2014-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：238-242