一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算

摘要：

建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子.在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响.分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大.除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小.

关键词：平行背栅极、碳纳米管阵列、场增强因子、悬浮球

所属期刊栏目：35

分类号：O642.4(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金61261004,50072029,50572101

在线出版日期：2014-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：224-231