基于PTCDA的有机/无机光敏二极管结构优化

摘要：

以p型硅和茈四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管.研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度有很大的影响.对比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度为100 nm时,光响应度最高达到0.3 A/W.进而采用最优化的100 nm厚的PTCDA薄膜制备硅基光敏二极管,对比不同Au电极厚度的器件性能.在Au厚度为20 nm时,器件的光响应度达到最优化的0.5 A/W.

关键词：有机/无机异质结、光电探测器、PTCDA、厚度优化

所属期刊栏目：35

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金1097407;教育部博士点基金20110211110005

在线出版日期：2014-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：218-223