51 V GaN基高压LED的热分析

摘要：

设计并制备了51 V高压LED.对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析.运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对比,得出电极烧毁的原因在于芯粒连接处的电极过薄过窄而导致的电阻过大,为后续设计更可靠的高压LED提供了参考.对芯片分别进行蓝光及色温5 000 K的白光封装,并分别测量了热阻,涂覆荧光粉的白光灯珠的热阻要比没有涂覆荧光粉的蓝光灯珠高约4℃/W.同时,51 V高压LED的热阻比1W大功率LED要高,说明高压LED的散热性能比常规LED要差,这可能与高压LED具有深沟槽及众多的互联电极结构有关.

关键词：高压LED、热分析、ANSYS、热阻、深沟槽

所属期刊栏目：35

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家科技支撑计划2011BAE01B14;国家自然科学基金61107026;北京市教委基金KM201210005004

在线出版日期：2014-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：213-217