Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善

摘要：

研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料.通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2 ·V-1 ·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件.器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻.

关键词：有机薄膜晶体管、并五苯、电性能

所属期刊栏目：35

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研发项目2010CB327701;国家自然科学基金61275033

在线出版日期：2014-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：195-201