铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究

摘要：

采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品.同一样品表面具有相似的孔隙结构,不同样品形貌存在差异.在300 nm光激发下,样品发光峰位于618 nm附近,半高宽约为132 nm.傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si—Si、Si—O—Si、Oy—Si—Hx化学键振动吸收.结果表明,水热腐蚀法制备的铁钝化多孔硅表面形貌与腐蚀过程的局域电极分布关系密切.样品的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,并受非桥氧空穴发光中心数量影响.

关键词：多孔硅、铁钝化、光致发光、非桥氧空穴、水热腐蚀

所属期刊栏目：35

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：闽南师范大学科研基金SK08013

在线出版日期：2014-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：184-189