电化学法制备的还原氧化石墨烯薄膜及其光电性能研究
通过电化学方法在FTO导电玻璃上沉积了不同还原程度(C/O)的还原氧化石墨烯薄膜(rGO),其中rGO薄膜由未经处理的GO电解液制备,A-rGO由碱处理后的电解液制备,B-rGO由NaBH4处理后的电解液制备.利用XRD、XPS、SEM、UV-Vis对薄膜的化学结构和微观形貌进行了表征,并研究了薄膜在可见光照射下的光电性能.结果表明:在1.8V下沉积的不同C/O比的rGO薄膜中,B-rGO薄膜的C/O比最高(8.1),带隙最小(0.54 eV),导带最靠近FTO的导带位置.在可见光照射下,几种薄膜均产生了阴极电流,电流密度随C/O比的增大而增大,其中B-rGO最大达1μA·cm-2.本文提供了一种通过控制C/O比来控制rGO薄膜光电性能的方法.
还原石墨烯薄膜、光电性能、还原程度、能带结构
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O646(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金51175162
2014-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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