In插入层对硅衬底外延InN晶体质量和光学特性的影响

摘要：

在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响.XRD和SEM的测试结果表明,在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量.吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小,光致发射谱半峰宽最窄,并且有最高的带边辐射复合发光效率.可见,引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性.

关键词：InN、Si、分子束外延、In插入层

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分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11304112;博士后科学基金2013M541301

在线出版日期：2014-02-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：96-100