位错形态与GaN外延薄膜电阻率之间的关系
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),通过改变生长过程中成核层退火阶段的反应室压力,在蓝宝石衬底上制得了不同阻值的GaN外延薄膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对所生长的GaN薄膜的表面形貌、位错密度和位错形态进行了研究.结果表明,GaN的电阻率与位错形态之间存在密切联系,由此建立了模型来解释两者之间的关系.由于刃型位错附近存在负电荷,因此可为电子提供传导通道.在低阻GaN中,绝大多数位错发生弯曲和相互作用,在平行于基底方向上形成负电荷的导通通道,GaN薄膜的电导率较高.在高阻GaN中,位错生长方向垂直于基底,负电荷很难在平行于基片方向上传导,GaN薄膜的电导率很低,由此得到高阻GaN.
氮化镓、位错形态、高阻、金属有机物化学气相沉积
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O484.1(固体物理学)
教育部留学回国人员科研启动基金2013693;山西省科技创新重点团队2012041011;山西省留学人员科技活动项目择优资助经费;太原理工大学211人才引进项目tyut-c201122a;太原理工大学校青年基金2012L047
2014-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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