GaN基蓝绿光LED电应力老化分析

摘要：

对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大～9％;而在较大测量电流(20 mA)下,两者的光衰减幅度基本相同(18％).同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心.在此基础上对GaN基外延结构进行了优化,优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3％.

关键词：氮化镓、光衰减、电应力、退化机理

所属期刊栏目：34

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61176050、61176092;华侨大学科研基金12BS226

在线出版日期：2013-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1521-1526