双条形电极结构AlGaInP-LED微阵列器件的设计和实验研究

摘要：

设计了一种基于A1GaInP发光材料的像素为320×240、单元像素面积为100 μm×100 μm微型LED阵列.通过仿真和分析,设计了一种双条形电极结构.考虑到不同电极宽度下的电流分布情况以及电极的遮光效应,设计了电极宽度为13 μm的优化电极结构,使得每个发光像素的表面出光面积比为50.15％,并分析了电极对有源层出射的光的反射影响.制定了基于MOEMS工艺的微型LED器件的制作流程并进行了基本实验研究,最终给出了制作出的上电极的单个单元照片.

关键词：AlGaInP、微阵列、双条形电极、微光机电系统

所属期刊栏目：34

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61274122,61007023;吉林省科技发展项目20100351,20120323

在线出版日期：2013-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1494-1499