不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管

摘要：

分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能.原子力显微镜观察发现,并五苯半导体薄膜在不同的界面修饰上的生长形貌产生了很大变化.在PVP上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,经过聚苯乙烯/氯硅烷复合材料和HMDS处理后的PVP表面生长的并五苯晶粒尺寸则分别在200～400 nm和400 ～ 600 nm.大尺寸的晶粒能够减小器件沟道内的陷阱浓度,从而有效地提高电学性能.PVP绝缘层采用聚苯乙烯/氯硅烷和HMDS修饰后,与未修饰的器件相比迁移率分别提高了58倍和82倍.采用HMDS作为表面修饰层制备柔性OTFT,并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-9A,电流的开关比超过104,最大场效应迁移率约可达0.338 cm2 ·V-1 ·s-1.

关键词：并五苯、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚苯乙烯(PS)、偏压应力、柔性有机薄膜晶体管

所属期刊栏目：34

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金："973"计划前研专项2012CB723406;国家自然科学基金21174036,51103034;教育部博士点基金20100111120006

在线出版日期：2013-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1392-1399