ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响

摘要：

在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题.本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响.通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因.并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出～12V的四串联高压LED阵列器件.

关键词：氮化镓、高压LED、电流输运

所属期刊栏目：34

分类号：O472+.8(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61107026;北京市教委基金KM201210005004

在线出版日期：2013-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1362-1366