基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究

摘要：

非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起电路特性的不稳定.本文利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取并建立了SPICE仿真模型,通过拟合得到了它的阈值电压随时间变化的方程.在此基础上,采用SPICE软件对基于a-IGZO TFT的2T1C和3T1C两种AMOLED像素电路的稳定性进行了比较研究,证明3T1C电路对阈值电压偏移确实存在一定的补偿效果.最后讨论了进一步改善AMOLED像素电路稳定特性的方法和实际效果.

关键词：非晶铟镓锌氧化物、AMOLED、薄膜晶体管、像素电路

所属期刊栏目：34

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61136004

在线出版日期：2013-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1240-1244