In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响

摘要：

运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系.分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因.当In含量较低时,随着电流密度增大(＜8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(＞8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低；而当In含量较高时,随着电流密度增大,光谱发生蓝移程度相对较大,但在电流密度较大时,会获得较高的发光功率.因此,为了使InGaN/GaN发光二极管获得最大量子效率与发光效率,应该根据电流密度的大小(8 kA/cm2)来选择In含量的高低.

关键词：In含量、效率下降、数值模拟、InGaN/GaN发光二极管

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分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60878063;广东省自然科学基金10251063101000001,8251063101000006

在线出版日期：2013-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1233-1239