AlGaInP DH-LED的pn结特性
针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系.通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大；当电压过大时,电流密度几乎不增大.随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命.综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2～2.33 V.
AlGaInP、电压电流特性、pn结、简并半导体
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TN312.8(半导体技术)
国家自然科学基金20120323,61007023;吉林省科技发展计划20100351;吉林省科技厅项目61274122
2013-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
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