碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究

摘要：

在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究.通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和Cls的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主.样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物VN-CN和CN-SiAl.

关键词：光致发光、掺杂、p型导电、半导体材料、AlN

所属期刊栏目：34

分类号：O474;O433(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61136001;国家"973"前期研究专项2010CB635115

在线出版日期：2013-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1199-1202