Zn空位及Cu掺杂对ZnTe电子结构及光学性质的影响

摘要：

利用基于密度泛函理论框架下的平面波赝势法和广义梯度近似,计算分析了ZnTe结构本体、掺入杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Te)及Zn空位(Zn0.875Te)体系的晶格常数及缺陷形成能,得到了不同体系的态密度、能带结构、集居数、介电函数、损失函数、吸收光谱、光电导率、复折射率及反射率.结果表明,掺杂Cu和Zn空位对ZnTe的晶胞参数、能带结构以及光学性质都产生了一定程度的影响.由于空位及杂质能级的引入,缺陷体系体积减小,晶胞参数也产生了一定的改变,同时缺陷体系禁带宽度减小并给受主能级价带顶提供n型电导性；此外,缺陷体系吸收光谱产生红移,电子在可见光区的跃迁明显增强并出现介电峰,改善了ZnTe的光学性质.

关键词：ZnTe、第一性原理、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：34

分类号：O64(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金CDJZR11220003;辽宁省科技厅科学技术计划2010220012

在线出版日期：2013-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1135-1143