导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应

摘要：

采用三角势近似界面导带弯曲,研究了有限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的结合能及其压力效应.数值计算了杂质态与声子之间相互作用对结合能的影响,同时与方形势垒进行了比较.结果表明,随着电子面密度的增加,导带弯曲效应增强,束缚极化子结合能逐渐下降.当电子面密度ns=(6.0,8.0)×1011/cm2且量子点半径R＞10 nm时,束缚极化子的结合能趋近于一个相同且较小的值.结合能的极化效应主要来自杂质与光学声子相互作用的贡献.

关键词：量子点、束缚极化子、电子面密度

所属期刊栏目：34

分类号：O471.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11364028,10964006;内蒙古自治区自然科学基金重大项目2013ZD02;内蒙古农业大学科技创新团队NDPYTD2010-7

在线出版日期：2013-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1128-1134