电流拥挤效应与LED器件可靠性分析
对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V电压冲击后出现漏电失效现象.通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受了更大的电压和功率;对器件加-2V偏压,利用光发射(EMMI)显微镜对芯片表面不同量级漏电流进行定位分析比较,结果表明漏电流集中在p型扩展电极端点附近.分析认为,电压冲击的破坏路径穿过了LED的量子阱结构,而电流的不均匀分布造成了p型扩展电极附近的电流拥挤,加剧了pn结的损伤程度,提高电流扩展的均匀性可以有效提高LED的可靠性.最后还对在正向电流-电压区域出现微分负阻特性的器件进行了失效分析.
光学器件、电流拥挤、发光二极管、EMMI、可靠性
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TN383+.1(半导体技术)
广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目2012A080304003;北京市自然科学基金4130022
2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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