沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响

摘要：

用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350 ℃退火lh,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响.实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致.

关键词：沟道宽度、氧化锌、薄膜晶体管

所属期刊栏目：34

分类号：TN321+.5;O472+.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61076113

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1046-1050