薄膜厚度对GZO透明导电膜及其LED器件性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射的方法制备了GZO透明导电薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪及紫外-可见光分光光度计等手段研究了厚度对于GZO薄膜性能的影响,并制备了相应的LED器件.实验结果表明:随着薄膜厚度增加,薄膜结晶质量提高,薄膜的电阻率也随之降低.当厚度为500 nm时,薄膜的电阻率最低为2.79×10-4Ω·cm,同时其在460 nm蓝光区域的光透过率高达97.9％.对所制备的以GZO薄膜为透明电极的LED器件进行了测试分析,发现GZO薄膜厚度对LED的正向电压影响不大,但对LED芯片的出光效率有较大影响.

关键词：GZO、透过率、透明导电氧化物

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分类号：O731(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金51072111;国家"973"计划2011CB013103

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1022-1027