SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响.采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放.同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善.研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力.同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高.最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数.
SiN、应力弛豫、插入层
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TN304.2(半导体技术)
国家自然科学基金60976010,61076045,11004020;国家863项目2011AA03A102;中央高校项目DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC345;高等学校博士学科点专项科研基金20110041120045
2013-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1017-1021