温度对GaSb/GaAs量子点尺寸分布的影响

摘要：

采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)法制备GaSb/GaAs量子点.通过对不同生长温度的样品进行分析发现温度的变化对GaSb/GaAs量子点的相位角无明显影响,量子点的形状是透镜型.由于量子点特殊的应力分布,可实现量子点的“自限制”生长.量子点的化学势不连续性以及Ostwald熟化机制的影响使得量子点尺寸分布在一定范围内不连续,会出现两种尺寸模式的量子点生长.Sb原子的表面迁移率对GaSb/GaAs量子点生长有较大的影响.升高温度可有效改善量子点的分立性,在升温过程中量子点体现出其熟化过程,高温时表面原子的解析附作用对量子点尺寸和密度的影响较大.

关键词：GaSb/GaAs自组装量子点、尺寸分布、MOCVD

所属期刊栏目：34

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61076010;集成光电子学国家重点联合实验室自主课题IOSKL2012ZZ13

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1011-1016