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10.3788/fgxb20133407.0841

GaAs微尖上碳纳米管的制备

引用
采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管.利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征.结果表明:GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列,生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列之间,形态规整,具有较好的石墨微晶结构.在此基础上,提出在微尖上生长纳米管的模型,为实现微纳器件互联提供了一种新方法.

碳纳米管、热化学气相沉积、GaAs、选择液相外延

34

O78(晶体生长)

国家"973"项目2010CB327705;国家自然科学基金面上项目60877007

2013-09-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

841-844

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1000-7032

22-1116/O4

34

2013,34(7)

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