分子束外延生长亚稳态ZnCdSe/MgSe低维量子阱结构及其光学性质

摘要：

采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构.在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式,衍射图样证明其为亚稳态闪锌矿结构.通过引入厚的ZnxCd1-xSe空间层,抑制了MgSe垒层的相变,并能进一步提高样品的结晶质量,得到高结晶质量的多量子阱结构.通过计算不同阱宽的能带与光致发光实验比较,证明了ZnxCd1-xSe/MgSe的导带带阶为1.2 eV,价带带阶为0.27 eV.为了进一步验证其能带结构,制备了电子掺杂的ZnxCd1-xSe/MgSe的多量子阱,观测到半高宽很窄的中红外吸收.利用发光谱确定的带阶计算了量子阱中子带的吸收波长,和实验结果非常吻合.设计了一种双量子阱结构,计算结果显示,通过利用量子阱中的耦合效应,可以实现1.55.μm光通信波段的吸收.

关键词：分子束外延、Ⅱ-Ⅵ族量子阱、闪锌矿MgSe、能带带阶

所属期刊栏目：34

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2013-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：811-815