低温插入层对绿光LED的发光影响

摘要：

利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性.插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移.经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能.

关键词：LED、相分离、插入层

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60976010,61076045,11004020;国家863项目2011AA03A102;中央高校项目DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC345;高等学校博士学科点专项科研基金20110041120045

在线出版日期：2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：744-747