TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛构型及其演变的第一性原理研究

摘要：

为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN (001)表面上3N1Ti1Si岛的各构型的总能量和吸附能,并计算了Si-in-3N1Ti构型转向Ti-in-3N1Si构型的两种演变方式所对应的激活能.计算结果表明:在3N1Ti1Si的几种构型中,Ti-in-3N1 Si构型是最低能量的稳定结构,这种构型是由SiN相从TiN相中分离出来而形成的；两种演变方式中以Si粒子迁出Ti粒子迁入所需构型演变的激活能较小,更容易实现构型演变;与2 Ti2N1 Si构型演变相比,3N1Ti-1Si岛演变中SiN与TiN分离比较容易实现,这意味着适当增加氮分量有利于SiN与TiN的分离.

关键词：界面形成条件、相分离、构型演变、激活能、第一性原理

所属期刊栏目：34

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50845065;内蒙古自然科学基金2010Zd21

在线出版日期：2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：727-731