电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压

摘要：

对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究.样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长.激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高.非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV.

关键词：ZnO、量子阱、电子束泵浦、激子隧穿

所属期刊栏目：34

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金21100146;国家"973计划"2011CB302006,2011CB302002

在线出版日期：2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：692-697