近紫外380 nm发光二极管的量子阱结构优化

摘要：

模拟分析了有源区不同垒层对380 nm近紫外发光二极管的内量子效率、电子空穴浓度分布、辐射复合效率等产生的影响.有源区垒层材料分别选用GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,其中3层AlGaN的厚度比分别为6nn/8nn/6nm和7nm/6nm/7nm.对比分析发现,与GaN垒层相比,选用AlGaN系列垒层可以将更多的载流子限制在有源区内,空穴浓度可以提高近一个数量级,辐射复合效率可以提高2～10倍；3层AlGaN垒层相对于单一AlGaN垒层,载流子分布更加均匀,辐射复合效率可以提高7倍以上,内量子效率可以提高14.5％；采用不同厚度比的3层AlGaN垒层结构可以微调能带的倾斜程度,进一步减小极化效应.可以调节合适的厚度比减小极化效应对于载流子分布及内量子效率的影响.

关键词：近紫外发光二极管、多量子阱、垒层、AlGaN

所属期刊栏目：34

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目2011A081301004,2012A080304006;广州市科技计划2010U1-D00131

在线出版日期：2013-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：623-628