铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究

摘要：

通过低温化学方法在多孔硅柱状阵列(NSPA)衬底上制备得到铕掺杂ZnO(ZnO∶Eu)纳米棒阵列结构.实验方法简单、条件温和,有效地实现了ZnO纳米棒和铕离子之间的能量转移,丰富了ZnO纳米半导体材料体系的发光.X射线衍射以及X射线光电子能谱证实铕离子成功掺杂进了ZnO晶体中.室温荧光光谱测试结果表明:ZnO∶Eu纳米棒阵列可实现从紫外光到蓝-绿光的宽谱带发射,其中发光中心位于～ 380 nm的紫外光源于ZnO的带边发射,位于450 ～ 570 nm的蓝-绿光源于ZnO的本征缺陷发光,而位于～615 nm的红光发光则源于铕离子核外电子4f壳层结构.同时借助于能带示意图对光致发光机理进行了分析.

关键词：铕离子、ZnO纳米棒阵列、低温化学法、光致发光

所属期刊栏目：34

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11104008;北京自然科学基金1103033

在线出版日期：2013-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：573-578