不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响

摘要：

电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响.本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL.通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6％.

关键词：发光二极管(LED)、电流阻挡层(CBL)、光效

所属期刊栏目：34

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：北京市教委基金KM201210005004;国家自然科学基金61107026;国家科技支撑计划2011BAE01B14

在线出版日期：2013-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：480-483