喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响

摘要：

在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征.研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定.此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显.

关键词：MOCVD、高度调节、InGaN/GaN量子阱

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60976010,61076045,11004020;国家863重大项目2011AA03A102;中央高校基本科研业务费专项DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC345;高等学校博士学科点专项科研基金20110041120045

在线出版日期：2013-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：469-473