新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高

摘要：

分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究.3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层.此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析.研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区).同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解.

关键词：发光二极管(LED)、电子阻挡层(EBL)、数值模拟、效率下降

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分类号：TM23;O242.1(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金61176043;广东省战略性新兴产业专项资金2010A081002005,2011A081301003,2012A080304016;华南师范大学青年教师科研培育基金2012KJ018

在线出版日期：2013-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：345-350