衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响

摘要：

利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片.测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响.分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能.随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移.

关键词：GaN、LED、弯曲度、残余应力

所属期刊栏目：34

分类号：O781(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金60976010,61076045,11004020;国家"863"高科技研究发展项目2011AA03A102;中央高校基本科研基金DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC345;高等学校博士学科点专项科研基金20110041120045;信息学功能材料国家重点实验室开放基金

在线出版日期：2013-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：340-344