氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响

摘要：

介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响.结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12％,样品表面的As—O键和Ga—O键基本消失.

关键词：等离子清洗、GaAs基片、发光强度

所属期刊栏目：34

分类号：O472.1(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61177019,61176048

在线出版日期：2013-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：308-313